（原标题：这类芯片材料融易富，前景光明）
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来 源 ： 内容编译自semienginerring 。
作为当今半导体制造中常用的各种金属的替代品，钼的前景越来越光明，尤其是在前沿节点。
芯片制造商正在逐步淘汰先进节点上的金属。虽然钌衬垫已接近量产阶段，但这种金属还不足以取代高度可扩展互连中的铜。钌价格昂贵，目前的制造工艺也无济于事。此外，imec 研究员 Zsolt T?kei 表示，镶嵌工艺中“过度沉积和抛光”步骤产生的废料量令人担忧。虽然减材金属化可以减少废料量，但它需要对整个工艺进行更大规模、更昂贵的改造。
铜并非唯一一种寿命短的金属。晶体管触点、存储器中的字线以及类似应用通常使用钨、钴和其他金属，而不是铜。然而，它们面临着许多与铜相同的缩放问题。与铜一样，随着特征尺寸的缩小，钨的电阻率也会增加。它还需要一个阻挡层来避免电介质污染。在 3D NAND 器件中，Kioxia 的研究人员报告称，通常用于钨沉积的 WF 6前体中的氟残留物会滞留在空隙中，最终侵蚀周围的电介质材料。随着特征尺寸的缩小和电流密度的增加，钨也面临电迁移问题。
那么下一步是什么？对于这些应用来说，至少目前而言，一个越来越有吸引力的选择似乎是钼。T?kei 表示，钼相对于现有材料和钌等替代品都具有多种优势。钼的电阻率比钨更高，不需要阻挡层，而且与钌相比，钼更便宜，并且与电介质的附着力更好。
在混合金属化方案中，钼作为无阻挡层接触金属尤其具有吸引力，因为预填充通孔后接铜镶嵌线。由于通孔底部或其他垂直特征的阻挡层会产生额外的串联电阻，因此底部阻挡层决定了接触和通孔的电阻。
Lam Research高级半导体工艺与集成工程师 TaeYeon Oh及其同事证明融易富，无障碍混合钼方案相对于传统的铜双镶嵌设计，可将总电阻降低约 56%。他们的研究成果在最近的 IEEE 互连技术会议上进行了展示。
T?kei表示，将钼与这样的工艺流程集成，除了金属沉积模块本身之外，可能只需要进行少量改动。钼比钌更容易氧化，因此更容易通过CMP去除。
然而，比利时微电子研究中心 (imec) 的 Jean-Philippe Soulié 及其同事进行的深入分析警告称，金属的本体特性在评估其在实际器件中的性能方面价值有限。对于钼——以及其他纳米线——其电学、热学和电迁移特性均取决于沉积薄膜的晶粒尺寸和晶界结构。而这些又取决于前驱体、工艺参数、底层电介质的表面特性等等。
管理电迁移界面和晶界是电迁移的主要途径，同时也会导致电子散射和电阻率下降。
为了集成钼，金属沉积模块需要能够处理 MoO2Cl2 和 MoCl5 等固体前驱体。固体前驱体在半导体制造中越来越常见，除了钼之外，还有基于氯的铪、铝和钨等前驱体。然而，与气体甚至液体前驱体相比，固体前驱体往往热稳定性较差，材料通量也不太均匀。
Lam Research 的研究人员在其工艺工程师 David Mandia 的报告中表示，他们通过循环沉积技术实现了精确的晶粒尺寸控制，并根据需要混合使用热法和等离子法工艺，以达到预期效果。他们表明，大晶粒钼薄膜对于成功集成至关重要。在他们的研究中，小晶粒钼的电阻率与厚度的依赖性与钨相当。相比之下，大晶粒钼的电阻率对厚度的依赖性要小得多，并且在厚度低于约 7 纳米时优于钨、钌，甚至铜。
当钼中存在晶界时，掺杂钴等元素有助于减少散射，正如韩国科学技术院的研究人员Yeongjun Lim和Mincheol Shin进行的模拟研究所示。在低浓度下，由于电荷补偿效应，电阻率下降。然而，在较高浓度下，电阻率急剧上升。额外的杂质态导致载流子局域化，从而扰乱了电子传输。
在背面电源应用中，预测金属行为尤其具有挑战性。背面电源设计旨在减小标准单元尺寸。然而，这会导致背面电源网络增加电流密度，从而增加电迁移的风险。由于类似的原因，它们也容易出现热点。
虽然背面功率配置中的电迁移和散热问题尚未得到彻底分析，但钼具有一些明显的优势。作为一种难熔金属，即使在极高的温度下也具有机械稳定性。它与电介质的附着力更强，不易形成空洞。此外，钼的导热性也比钌更好。由于所有这些原因，钼的抗电迁移性能可能比钌更好，尽管这两种金属的性能都应该令人满意。中山大学研究员蔡琳琳解释说，更好的抗电迁移性能使设计人员能够更紧密地封装晶体管，从而减少器件的整体面积。
虽然还需要更多实验结果，但早期的钼集成研究已颇具前景。Kioxia 团队发现，钼相对于钨的电阻率较低，这使得他们能够在保持 RC 不变的情况下将字线间距减小 7.3%。存储器孔间距缩小了 3.7% 以上，总体比特密度提高了 16.3%。
总体而言，T?kei 表示，钼非常适合用于接触和字线应用。它与现有的集成方案非常契合。但从长远来看，钌或许可以扩展到更小的器件。
https://semiengineering.com/scaling-memory-with-molybdenum/
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